Los dispositivos de almacenamiento basados en NAND son un sector ferozmente disputado, en el cual Samsung ha mantenido el liderazgo desde 2002, pero sus rivales están ganando terreno.
El gigante electrónico surcoreano ha anunciado planes para iniciar la producción en masa de sus nuevas chips NAND verticales de novena generación de 290 capas (V9), dirigidas a dispositivos de inteligencia artificial y en la nube, así como servidores empresariales a gran escala. Estos utilizan la tecnología de doble apilamiento de Samsung, en lugar del método de triple apilamiento normalmente utilizado.
Sin embargo, otras empresas se están acercando. SK Hynix, el segundo mayor fabricante de chips de memoria del mundo y el archirrival de Samsung, tiene la intención de lanzar su tecnología NAND de 321 capas a principios del próximo año, mientras que la especialista china en memoria flash Yangtze Memory Technologies dice que planea introducir chips de 300 capas a finales de este año.
Un juego de gallinas
Ante la batalla que se calienta, Samsung ya está mirando más allá del inminente lanzamiento de V9, con informes de la industria que indican que se espera que se presente un asombroso chip NAND de décima generación de 430 capas (V10) el próximo año. A diferencia de V9, este utilizará la tecnología de triple apilamiento de Samsung.
La agresiva búsqueda de la supremacía de NAND llega en un momento en que la demanda de dispositivos de almacenamiento de alto rendimiento y gran capacidad está creciendo en la era de la inteligencia artificial. Los chips NAND de alta densidad responden a esa demanda y también mejoran las capacidades de los teléfonos inteligentes 5G.
El Korea Economic Daily dice que los principales fabricantes de chips ahora están “inmersos en un juego de gallinas en una carrera para desarrollar tecnología de apilamiento de chips avanzada para reducir costos y mejorar el rendimiento”. Señala que Samsung ha anunciado previamente planes para desarrollar chips NAND de más de 1,000 capas para 2030.
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